Étude du transport et de la formation de particules pendant l'étape microélectronique de gravure assistée plasma

Generation and transport studies of contaminative particles in semiconductor etching plasma processes

• Auteur / Autrice : Patrick Martin
• Direction : Nader Sadeghi
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Microélectronique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Fluides

Plasmas et decharges electriques

Sciences des materiaux

Rheologie

Modelisation

Plasma froid

Gravure

Semiconducteur

Fabrication microelectronique

Pulverisation irradiation

Gravure ionique reactive

Contamination

5275r

Pac

8160c

Pac

Modeling

Cold plasma

Etching

Semiconductor materials

Microelectronic fabrication

Sputtering

Reactive ion etching

Contamination

Résumé

Dans l'industrie de la microelectronique, la contamination particulaire est responsable d'une reduction importante des performances des procedes de fabrication. Les procedes assistes plasma, et notamment les procedes de gravure seche sont une source particulierement nefaste de contamination particulaire. Nos travaux nous ont conduit, tout d'abord, a mettre au point et a evaluer des moyens in-situ (diffusion de la lumiere, mesure electriques) pour caracteriser la dimension et la densite des particules. Grace a ces dispositifs, nous avons etudie le transport des particules lors de l'etape critique pour la contamination des substrats en cours de traitement que constitue l'extinction du plasma. Nous avons ensuite analyse la formation des particules dans des plasmas d'argon (pulverisation) et des plasmas de trifluoromethane (gravure ionique reactive). La derniere partie de nos travaux est consacree a l'analyse de l'efficacite des procedes de nettoyage des reacteurs par des plasmas pulses