Étude du comportement non linéaire et de la dégradation de transistors à effet de champ faible bruit soumis à une surcharge microonde

Study of non linear behaviour and degradation of low noise field effect transistors overstressed by microwave signal

• Auteur / Autrice : Didier Lazaro
• Direction : Jean-Claude Mollier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Toulouse, ENSAE

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microondes

Transistors à effet de champ

Bruit électronique

Dispositifs à microondes

Mots clés libres

étude expérimentale

Réponse impulsion

Décharge hyperfréquence

Surcharge

Fiabilité

Dégradation

Transistor effet champ

Transistor hyperfréquence

Circuit faible bruit

Modèle non linéaire

Résumé

L'influence de surcharges micro-ondes de fort niveau sur des transistors à effet de champ faible a été étudiée. Un banc de test de caractérisation statique et dynamique du composant avant at après chaque impulsion a été mis au point au CERT/DERMO et a permis de mettre en évidence tois phases de dégradation (temporaire, graduelle et catastrophique) ainsi qu'une phase de guérison apparente. Des différences de comportements sont apparues entre HEMTs et MEFETs inhérentes à la technologie du transistor. L'influence de surcharges micro-ondes permanentes a également été étudiée expérimentalement et théoriquement à l'aide d'une modélisation non linéaire qui décrit le comportement du composant actif jusqu'à des niveaux d'entrée de 500 mW. L'importance de l'environnement électrique du transistor a été mise en évidence par ses effets sur le fonctionnement non linéaire du composant et sur sa puissance critique de dégradation.