Le rôle du dopage indium sur la nucléation et la propagation des dislocations des GaAs

Role of indium doping on formation and propagation of dislocations in gallium arsenide

• Auteur / Autrice : Arilanto Rakotobe
• Direction : Nelly Burle-Durbec
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Indium

Défauts

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Résumé

Cette these a ete consacree a l'etude de l'influence du dopage indium sur les proprietes mecaniques des dislocations dans l'arseniure de gallium. Deux aspects particuliers ont ete traites : d'une part, des recuits de vieillissements sur les sources de dislocations a 773 k ont permis de constater un blocage des sources quand la duree du recuit est suffisante. Des resultats s'interpretent par des ancrages sur les sources dues a des incorporations d'indium sur les segments alpha et vis aussi bien pendant le recuit que pendant la rotation de la source. D'autre part, a basse contrainte (inferieur a 12 mpa) et a haute temperature (superieure a 673 k), nous avons observe un ralentissement progressif des dislocations alpha du a une accumulation d'indium. Nous developpons un modele base sur l'incorporation d'indium dans les decrochements provoquant une augmentation de leur energie de migration. Nos resultats dont en accord avec l'hypothese d'interaction particuliere indium interstitiel - coeur alpha