Etudes de la ségrégation du bore à la surface Si(111) et de la croissance du cuivre sur le substrat Si (111)-B-√3x√3 r 30°

Studies of boron segregation and the early stages of copper growth at the Si(111)-B-√3x√3 R 30 substrate

• Auteur / Autrice : Patrick Tina Roge
• Direction : Philippe Mathiez
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Cuivre

Croissance cristalline

Résumé

Cette these porte sur l'etude de la croissance du cuivre sur une surface de si(iii)3x3 r 30 obtenue apres segregation du bore. Une telle surface est constituee d'adatomes de si et d'atomes de b confines en deuxieme couche et occupant des sites ternaires situes a la verticale des adatomes de si (site s5). Nous avons montre, grace a la microscopie par effet tunnel, que la signature du bore en sous-surface a permis un controle de la quantite de dopants en surface et une analyse detaillee de la segregation du bore. La confrontation de nos resultats avec des modeles thermodynamiques montre que la distribution spatiale du bore est le resultat d'un important effet cooperatif. La caracterisation locale ainsi effectuee des substrats si(iii)-b-3x3 r 30 a permis de comparer la croissance du cuivre sur des substrats avec differentes concentrations superficielles en bore. Nos resultats ont mis en evidence le fait que les premiers nuclei de cu se forment preferentiellement sur les adatomes de si au-dessus des atomes de b manquants. La comparaison entre l'interface cu/si(iii)7x7 et cu/si(iii)-b-3x3 r 30 souligne par ailleurs la forte reduction de l'interaction entre le cu et le substrat si (iii) induite par le transfert de charge entre les adatomes de si et les atomes de b