Analyse de la sensibilite technologique des circuits integres gaas

• Auteur / Autrice : ANISHA KALFANE
• Direction : Alfred Goltzené
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Strasbourg 1

Résumé

Le but de ce travail vise a mettre au point une methodologie d'analyse de la sensibilite d'une filiere de circuits integres en arseniure de gallium, aux differents materiaux et aux parametres technologiques en vue de determiner les choix propres a l'amelioration des rendements. L'analyse de sensibilite, souvent denommee analyse parametrique, permet de quantifier les effets des principaux parametres technologiques. La premiere partie decrit la technologie utilisee. Pour effectuer une analyse de sensibilite, il faut faire le choix des parametres. La seconde partie justifie nos differents choix. Les parametres technologiques (parametres entrants) sont selectionnes sur la base de l'experience des technologues, completes par les parametres proposes par le logiciel gates (gallium arsenide transistors engineering mode s). Le choix des parametres electriques (parametres sortants) est effectue a l'aide d'une analyse statistique en composantes principales. La troisieme partie decrit le logiciel de simulation gates. Dans la derniere partie, la sensibilite est determinee experimentalement a l'aide de trois plans d'experiences. Cette etude hierarchise les parametres technologiques qualitativement a l'aide d'un modele et de l'experimentation. L'analyse des resultats nous a permis de deceler les parametres critiques: le recess, l'epaisseur du nitrure d'encapsulation, la dose d'implantation de la couche active et la dose de beryllium