Thèse soutenue

Photopiles de haut rendement au silicium polycristallin

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Auteur / Autrice : S. Sivoththaman
Direction : Michel Rodot
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences physiques, chimiques et ingénierie
Date : Soutenance en 1993
Etablissement(s) : Paris 12

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Le rendement de conversion de photopiles au silicium polycristallin a ete porte a 16. 4%, en ameliorant a la fois la qualite du materiau de base, celle des interfaces avant et arriere et le courant de saturation du composant a l'obscurite. Differentes etapes de fabrication ont ete optimisees, de facon a degager deux grands choix de procedes conduisant a un haut rendement: celui d'emetteurs homogenes sur une base peu dopee et celui d'emetteurs selectifs sur une base tres dopee. La reponse spectrale et le courant de saturation mesures des photopiles ont ete confrontes a un modele tenant compte des particularites du composant; le modele a ete valide et les parametres physiques de base determines. La tension de circuit ouvert culmine a la valeur record de 636 mv. Les rendements atteints, superieurs a 16% pour une surface de 4 cm#2, frayent la voie de futures productions industrielles. Une variante utilisant des recuits rapides sous rayonnement constitue un procede simple conduisant egalement a des performances prometteuses