Etude des non linearites photorefractives dans les composes semi-isolants iii-v et ii-vi : influence d'une irradiation electronique
Auteur / Autrice : | Philippe Delaye |
Direction : | Gérald Roosen |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1993 |
Etablissement(s) : | Paris 11 |
Résumé
Ce manuscrit presente l'etude de l'effet photorefractif dans le proche infrarouge et, plus particulierement, l'etude des materiaux sensibles dans cette gamme de longueurs d'onde. La premiere partie du travail a consiste a etudier les materiaux existants, provenant de la microelectronique, le gaas et l'inp. Les etudes realisees, tant experimentales que theoriques, ont permis de comprendre leurs proprietes et de mettre en evidence leurs limitations, notamment pour les applications dans la gamme de longueurs d'onde autour de 1,3 m. Au vu de ces resultats, nous avons propose une technique d'optimisation des performances de gaas utilisant l'irradiation electronique. L'irradiation induit une legere variation du niveau de fermi, qui doit favoriser l'effet photorefractif a 1,3 m. Les resultats obtenus ont montre que l'effet attendu etait fortement contrebalance par la creation au milieu de la bande interdite, d'un defaut d'irradiation. L'influence directe de ce defaut a ete etablie grace au developpement d'un modele theorique de l'effet photorefractif prenant en compte deux niveaux de pieges profonds. En parallele a cette etude de l'effet d'irradiation, nous avons travaille sur les composes ii-vi, comme le cdte. Les premiers cristaux etudies presentent des gains photorefractifs interessants avec des faisceaux de faible puissance. Ces resultats confirment les promesses de ces cristaux pour une extension de l'effet photorefractif vers 1,5 m. Pour finir, nous presentons une technique d'amplification du gain photorefractif qui utilise l'application d'un champ alternatif carre. Une augmentation du gain d'un ordre de grandeur est obtenue