Proprietes structurales et electroniques des films ultraminces de samarim et de thulium supportes sur metaux

Structural and electronic properties of ultrathin films of thulium and samarium adsorbed on metals

• Auteur / Autrice : Eric Alleno
• Direction : Marie-Geneviève Barthes-Labrousse
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

Nous avons determine par aes et leed la structure de films ultraminces (0-2 monocouches) de samarium deposes sur ag(100) et cr(110) et de thulium deposes sur ag(100). Nous avons mesure par pes la valence du samarium ou du thulium adsorbe en fonction du taux de recouvrement. Pour tm/ag(100), a 130 k le thulium croit en multicouches simultanees sans interdiffuser. La valence passe de 2 pour l'atome isole a 3 pour les films epais. Les atomes divalents sont des atomes faiblement coordines (z<7). A 470 k se forme un compose de surface de structure ag17tm#2 ou le thulium est trivalent. Pour sm/ag (100), a 130 k se forme une monocouche mixte samarium-argent. Les atomes de samarium ayant interdiffuse sont trivalents, ceux qui se trouvent a l'extreme surface sont divalents (coordinence reduite). Pour sm/cr(110), a 300 k le samarium forme sans interdiffuser une succession de structure 2d epitaxiees (p(22), c(33)) jusqu'a la monocouche qui est constituee d'un arrangement hexagonal compact incommensurable. Jusqu'avant la structure hexagonale, les interactions substrat-adsorbat forcent les atomes de samarium a etre trivalents. Pour la structure hexagonale, les interactions entre adatomes sont preponderantes et le samarium a une valence intermediaire homogene egale a 2,8. La comparaison de nos resultats avec la litterature montre une difference de comportement entre le samarium adsorbe sur les metaux simples ou nobles et le samarium adsorbe sur les metaux d, et nous conduit a proposer une generalisation de ce comportement