Elaboration par Lp-mocvd du système GaAs-Gainp : application aux composants

par Franck Omnes

Thèse de doctorat en Physique du solide

Sous la direction de Julien Bok.

Soutenue en 1993

à Paris 6 .

mots clés

• Semiconducteurs
• Couches minces semiconductrices
• Mécanique des fluides
• Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
• Composés organométalliques
• Phosphure d'indium

Résumé

Le système d'alliages GaAs-Ga0. 51in0. 49p est particulièrement intéressant pour ses nombreuses applications potentielles aux composants électroniques et optoélectroniques, le plus souvent en remplacement du système GaAs-GaAlAs classiquement utilisé dans ces domaines d'application. Le présent mémoire fait état des travaux de recherches réalisés au laboratoire central de recherches de Thomson-csf sur ces matériaux. L'élaboration et l'optimisation des conditions de croissance des alliages GaAs et Gainp par la technique d'épitaxie en phase vapeur mettant en oeuvre les organométalliques (low pressure metalorganic chemical vapor deposition ou mocvd), l'étude des principales propriétés physiques des hétéro jonctions et puits quantiques à base de GaAs-Ga0. 51in0. 49p ainsi que les divers composants réalisés dans le cadre de cette étude (transistors et lasers) y font l'objet d'une description détaillée. Le mémoire est constitué, pour sa partie essentielle, des publications associées à ces travaux

Titre traduit

Lp-mocvd growth of gaas-gainp materials. Application to devices

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