Recherche Avancée

Thèse soutenue

Transistors à effet de champ AlInAs/(Al)GaInAs(P) pour photodétection intégrée à 1,3-1,5 mum

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Philippe Berthier
Direction : Dominique Rigaud
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
Date : Soutenance en 1993
Etablissement(s) : Montpellier 2

Résumé

FR

Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caracterisation de transistors a effet de champ a heterojonction (hfet) sur inp pour applications de photodetection a 1,3-1,55 microns. La modelisation en bruit du photorecepteur permet de montrer qu'a debit modere, il est necessaire de minimiser le courant de grille et le bruit bf du fet. Ceci justifie l'utilisation d'une structure a barriere grand gap alinas non dope et des materiaux quaternaires algainas et gainasp pour le canal. Le travail de conception des transistors concerne la composition et le dopage des couches canal et buffer et fait appel a la simulation numerique. La mise au point de la technologie porte particulierement sur les gravures de mesas, le recess de grille, les grilles submicroniques et la passivation. La caracterisation des fet en regimes statique, dynamique et en bruit est utilisee pour comparer differentes structures et pour qualifier la qualite des materiaux algainas, gainasp ainsi que celle de la technologie. La determination des sources de bruit du transistor permet egalement d'affiner la modelisation des photorecepteurs. L'ensemble du travail d'optimisation des transistors est valide par la realisation de modules de photoreception a base de hfet a canaux (al)gainas(p) et de preamplificateurs integres. Des sensibilites au niveau de l'etat de l'art mondial sont estimees pour des debits allant de 625 mbit/s a 10 gbit/s sur les photorecepteurs realises