Etude du comportement sous ions lourds des mosfets de puissance à canal N

Study of n channel power mosfets behaviour irradiated with heavy ions

• Auteur / Autrice : Franck Roubaud
• Direction : Jean Gasiot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique, optronique et systèmes
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Logiciels

Simulation, Méthodes de

Structure électronique

Modèles mathématiques

Effets des rayonnements

Composants électroniques

Ions lourds

Diodes à avalanche

Transistors de puissance

MOS (électronique)

Résumé

Les mosfets de puissance a canal n, soumis a un flux de particules ionisantes (exemple ions lourds), sont l'objet de perturbations electriques pouvant entrainer une derive de leurs performances, une alteration durable ou momentanee de leur fonctionnalite ou tout simplement leur destruction. L'utilisation de ces composants en milieu spatial necessite des technologies plus tolerantes ou durcies a ce type de contraintes. Les solutions de durcissement au seb (single event burnout) de ces transistors de puissance passent necessairement par des etudes experimentales de la sensibilite a l'effet des ions lourds de differentes technologies et par l'utilisation de logiciels de simulation de composants en tant qu'outil de prediction