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des thèses françaises
'%3e%3cpath%20style='fill:%2300a0dc;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.144606;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20d='M41.8%20100.088H52.28c.46%200%20.831.421.831.945v10.25c0%20.524-.37.946-.831.946H41.8c-.46%200-.831-.422-.831-.945v-10.251c0-.524.37-.945.831-.945z'/%3e%3cpath%20d='m47.072%20102.02-4.87%202.656%204.87%202.657%203.985-2.174v3.06h.885v-3.543m-7.969%201.851v1.771l3.1%201.691%203.098-1.691v-1.77l-3.099%201.69z'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke-width:.442726'/%3e%3ccircle%20style='fill:%23009f1d;fill-opacity:1;stroke:%23fff;stroke-width:.379704;stroke-linecap:round;stroke-linejoin:round;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20cx='54.151'%20cy='101.224'%20r='3.451'/%3e%3cpath%20d='m55.669%2099.387.659.664-3.075%203.104-1.634-1.649.66-.663.974.979%202.416-2.435'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.30061;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e)
Etude de la susceptibilité de diodes P. I. N. Soumises à une agression hyperfréquence
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Pierre Wolff |
| Direction : | Daniel Gasquet |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Composants, signaux et systèmes |
| Date : | Soutenance en 1993 |
| Etablissement(s) : | Montpellier 2 |
Résumé
FR
La diode pin asga ou silicium est modelisee par la resolution des equations de transport. Le modele prend en compte les effets de porteurs chauds, l'ionisation par impact et la recombinaison d'auger et de shockley read hall. Nous avons montre que les phenomenes de diffusion sont primordiaux dans les diodes courtes. Il est donc incorrect d'utiliser la relation d'einstein. Des mesures et des simulations realisees en commutation et en grand signal hyperfrequence ont montre l'existence d'oscillations lorsque la diode est en avalanche. Elles trouvent leur origine dans l'equation de poisson