Processus de capture électronique par des ions lourds très épluchés canalisés dans des cristaux minces à des énergies supérieures à 20 MeV-nucléon

Electron capture processes by highly strped- heavy ions channeled in thin crystals, at energies greater than 20 mev/nucleon

• Auteur / Autrice : Denis Dauvergne
• Direction : Joseph Remillieux, Jean-Claude Poizat
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Physique atomique et nucléaire
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Lyon 1
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Joseph Remillieux

Mots clés

Mots clés contrôlés

Canalisation (physique)

Compton, Effet

Échange de charge

Ions lourds

Résumé

Ce travail est consacre a l'etude des processus d'echanges de charge par des ions lourds canalises dans des cristaux minces a des energies superieures a 20 mev/nucleon. La canalisation d'ions lourds dans un cristal permet l'extinction des interactions a faible parametre d'impact avec les curs atomiques du cristal. Des processus d'echanges de charge qui sont minoritaires lors de collisions avec des cibles solides peuvent etre mis en evidence en canalisation, et meme devenir dominants, car la grande majorite des ions incidents interagit uniquement avec le gaz d'electrons de valence du cristal. C'est le cas de la capture dielectronique (en anglais resonant transfer and excitation, rte), processus resonnant dans lequel la capture est accompagnee de l'excitation d'un electron de cur du projectile, et de la capture electronique radiative (rec). L'ensemble des processus d'interaction ion-electron observables en canalisation sont presentes dans le premier chapitre. Les chapitres suivants decrivent deux experiences, realisees dans la voie lise de l'accelerateur ganil de caen: la premiere experience est consacree a l'etude de la resonance kll-rte d'ions xe#5#2#+ canalises le long de l'axe <110> d'un cristal de 21 m de silicium, a des energies variant de 34 a 43 mev/nucleon; la seconde presente l'etude de la capture rec-k par des ions kr#3#6#+ de 60 mev/nucleon canalises dans un cristal de 37 m de silicium oriente selon l'axe <110>. Ces deux experiences ont permis de faire une etude detaillee des distributions en impulsion des electrons de valence du cristal, dans la direction particuliere de propagation de l'ion incident canalise (profils compton)