Thèse soutenue

Simulation microscopique et technologie de réalisation du transistor à effet de champ à base de GaAs

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Auteur / Autrice : Isabelle Valin
Direction : Monique Constant
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance en 1993
Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

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Mots clés contrôlés