Etude du comportement des IGBT dans les convertisseurs en haute fréquence

= IGBT's behaviour analysis inside high frequency converters

• Auteur / Autrice : Dominique Ligot
• Direction : Jean-Pierre Chante
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Electronique
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : CETHIL - Centre de Thermique de l'INSA de Lyon (Lyon, INSA1982-1995)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors bipolaires à grille isolée

Convertisseurs électriques

Électronique de puissance

Résumé

L'IGBT intègre sur un même cristal les structures des transistors MOS et bipolaires et possède les avantages et malheureusement certains inconvénients de ceux-ci. Il semble être le composant actuellement le mieux adapté à la moyenne puissance moyenne fréquence. Une analyse approfondie de son comportement, s'appuyant sur la physique du comportement, nous permet d'expliquer différents phénomènes électriques liés à son utilisation. Grâce à une meilleurs connaissance du composant, nous étudions les pertes de différents IGBT dans certains cas particulier. Nous soulignons l'influence de différents paramètres (électrique, physique, temporel) sur celles-ci afin de proposer suivant l'utilisation des critères de choix parmi les différents composants. Cette étude facilite le choix d'un composant et conduit à une meilleure utilisation de l'IGBT grâce à différents critères proposés.

The JGBT device monolithically integrates the MOS and junction-bipolar transistor structures Then the device cumulates the two structures advantages but also several drawbacks The JGBT seems to be the best suited device in the mid-power mid-frequency area A semiconductor physics-based accurate analysis of the device behaviour lets us explain several electrical operating problems Under a better knowledge of device, we have studied the power losses of different IGBT's in particular operating conditions. We enlighten the sensitive of many parameters (electrical, physical, time related) on power-losses so as to propose criteria for the choice in given operating conditions. The study eases the choice of a device and then leads to a better operation of the IGBT in relation with different proposed criteria.