Contribution à l'extraction des paramètres inertiels non linéaires des structures semiconductrices

• Auteur / Autrice : Ahmed Benamara
• Direction : Jacques Boucher
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Toulouse, INPT

Mots clés

Mots clés contrôlés

Diodes électroluminescentes

Transistors bipolaires

Estimation de paramètres

Commutation (électricité)

Systèmes non linéaires

Modèles mathématiques

Semiconducteurs

Résumé

L'optimisation des performances des composants electroniques ou circuits electriques necessite de connaitre le plus precisement possible les parametres internes de ces composants, ainsi que leurs valeurs moyennes et ecarts statistiques; et ceci dans le but d'optimiser la reponse de ces circuits electriques aussi bien en regime lineaire qu'en regime de commutation (electronique numerique et electronique industrielle). Nous proposons donc des techniques d'extraction des parametres electriques de diodes et transistors, pour completer les feuilles de caracteristiques (data) des composants electroniques (approche cao-circuits a composants discrets). Ces methodes de caracterisation des parametres technologiques sont axees sur les modeles non lineaires, inertiels, de diodes et transistors bipolaires