Films polycristallins de diamant : dopage au bore à partir de la phase vapeur
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Auteur / Autrice : | Patrice Gonon |
Direction : | Alain Deneuville |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Microélectronique |
Date : | Soutenance en 1993 |
Etablissement(s) : | Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015) |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Etat condense
Proprietes electriques
Magnetiques
Optiques
Dopage cristal
Cvd
Xrd
Spectre absorption
Spectre ir
Spectre raman
Cathodoluminescence
Rpe
Conductivite electrique
Caracteristique courant tension
Caracteristique capacite tension
Photoconductivite
Couche mince
Diamant
Nk
Addition bore
6855l
Pac
71c61l
Pac
Crystal doping
Cvd
Xrd
Absorption spectra
Infrared spectra
Raman spectra
Cathodoluminescence
Esr
Electric conductivity
Iv characteristic
Cv characteristic
Photoconductivity
Thin films
Diamonds
Nk
Boron additions
Résumé
FR
En vue de la realisation de dispositifs electroniques a base de diamant, nous avons etudie le dopage au bore des films polycristallins de diamant elabores par depot chimique en phase vapeur. Les films dopes au bore sont caracterises a l'aide de mesures de diffraction x, d'absorption dans l'infrarouge, de diffusion raman, de cathodoluminescence, et de resonance paramagnetique electronique. Les proprietes electriques des films sont etudiees a l'aide de mesures du courant en fonction de la tension et de la temperature, de la capacite en fonction de la tension et de la frequence, et a l'aide de mesures de photoconductivite