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Thèse soutenue

Epitaxie métal sur semi-conducteur II-VI : cas des terres rares sur CdTe

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Auteur / Autrice : Patricia Gros
Direction : Krishna Saminadayar
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1993
Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015)

Résumé

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Cette etude concerne l'epitaxie par jets moleculaires de couches metalliques sur du cdte (001). Nous avons montre que l'europium peut s'epitaxier sur du cdte, moyennant une rotation de 45 de ses axes 100 et 010 autour de l'axe de croissance 001. Nous avons mis en evidence que l'interface eu/cdte n'est pas abrupte: nous observons la formation d'une couche interfaciale (ci(eu)) entre la terre rare et le cdte. Nous avons egalement etudie les couches interfaciales formees par depot de samarium ou de neodyme. L'epaisseur de ces couches interfaciales depend de la temperature du substrat. La croissance de l'europium est bidimensionnelle sur une couche interfaciale a base de neodyme ou de samarium tandis qu'elle est tridimensionnelle sur une couche interfaciale a base d'europium. Nous avons pu realiser d'autre part des multicouches du type cdte/ci/cdte. . . Et des couches metalliques enterrees cdte/eu/ci/cdte. Les differentes heterostructures ont ete caracterisees structuralement par rbs et canalisation, et dans une moindre mesure par microscopie electronique en transmission et diffraction x. Nous avons aussi caracterise electriquement l'heterojonction eu/ci(nd)/cdte (dope indium), mis en evidence le caractere ohmique de la jonction et mesure une resistance specifique de contact de 5. 10##3. Cm#2