Caractérisation d'oxydes de sicilium par spectroellipsométrie et par gravure chimique

• Auteur / Autrice : Bichr Skheyta
• Direction : Alain Gagnaire
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Ecully, Ecole centrale de Lyon
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de Matériaux Mécanique-Physique (Ecully, Rhône)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Ellipsométrie

Semiconducteurs

Silice

Résumé

L'objectif de ce travail est la mise au point d'une méthode de caractérisation d'oxydes par gravure chimique, l'épaisseur des oxydes étant contrôlée par ellipsométrie spectroscopique. Cette méthode est appliquée à l'étude du système Si02/Si, élément de base de la technologie silicium en micro-électronique.

Oxides deposited by various techniques differ in their resistance to certain etchants. It is well known that the dissolution rate of an oxide film in a chemical etchant is a method to obtain qualitative informations on the structure an composition of these films.