Contribution à l'étude de la croissance par transport en phase gazeuse des semi-conducteurs Pb0,8Sn0,2Te et GaAs dans un environnement de gravité réduite : expériences MF095 du programme Eureca-1 : aspects thermodynamique et hydrodynamique

Contribution to the study of the growth by transport in vapour phase of semiconductors Pb0,8Sn0,2Te and GaAs in a reduced gravity environment : experiments MF095 of the mission Eureca-1 : thermodynamic and hydrodynamic aspects

• Auteur / Autrice : Stéphanie Bouchet
• Direction : Jean-Claude Launay
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Bordeaux 1
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale des sciences chimiques (Talence, Gironde ; 1991-....)
• Jury : Président / Présidente : Pierre Gibart
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Jean-Claude Launay, Pierre Gibart, Patrick Bontoux, Jean Étourneau, Francis Langlais, Alain Hordonneau, Michel Pouchard, Sylvie Léon-Hirtz
• Jury : Rapporteur / Rapporteuse : Pierre Gibart, Patrick Bontoux

Mots clés

Mots clés contrôlés

Arséniure de gallium

Spectroscopie Raman

Composés semiconducteurs

Croissance cristalline

Composés ternaires

Semiconducteurs

Résumé

En vue de la modelisation des mecanismes de croissance, la conception, la preparation et l'integration des experiences spatiales ont ete menees. Elles consistent dans le transport physique en phase vapeur du tertiaire pb0,8sn0,2te et du transport chimique en phase vapeur de l'arseniure de gallium sur une demi-sphere monocristalline de gaas avec le melange 3% hcl+h2, en tube ferme. L'utilisation des donnees de vol a montre que les experiences se sont parfaitement bien deroulees. Une etude thermodynamique nous a donne les pressions partielles des principales especes gazeuses et des flux de masse theorique en regime diffusif. La diffraction en retour de laue et la microscopie electronique ont permis l'identification et l'orientation cristallographique de chaque facette, et la determination du taux de croissance suivant les differentes orientations. La spectroscopie raman a mis en evidence l'influence d'un dopant de type n pendant la croissance de gaas. L'etude hydrodynamique dans un environnement d'hypergravite a donne une representation des courants dans un domaine centrifuge au sein des ampoules de croissance