Formation et structure électronique de l'interface métal-céramique : rôle de la stoechiométrie de l'oxyde en fonction de l'électronégativité du métal

Formation and electronic structure of metal-ceramic interface: influence of the stoichiometry of the oxide and of the metal electronegativity

• Auteur / Autrice : Bénédicte Ealet
• Direction : Eveline Gillet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Surfaces

Céramique

Couches minces métalliques

Résumé

Nous presentons les resultats d'une etude qui a ete entreprise dans le but de caracteriser les phenomenes microscopiques determinant l'adhesion d'un film metallique depose sur une ceramique. L'influence de la stchiometrie de l'alumine sur la qualite du film metallique ayant ete mise en evidence nous avons etudie la formation de l'interface en deposant des metaux d'electronegativite differente sur des surfaces d'alumine plus ou moins reduites. Dans un premier temps nous avons prepare et caracterise 5 types de surfaces differentes par leur structure cristallographique et leur structure electronique: alumine alpha monocristalline stchiometrique et reduite suivant suivant deux orientations; alumine gamma polycristalline. Les techniques utilisees (eels, xaes et xps) ont permis de determiner la structure electronique de la bande interdite en surface. Nous avons notamment montre que la largeur de la bande interdite decroit en fonction de la reduction de la surface. Nous avons ensuite realise des depots de pd, cu, ni, cr sur ces surfaces. L'analyse de la variation du parametre auger et des spectres de perte d'energie en fonction de l'epaisseur de metal depose nous a conduit a faire des hypotheses raisonnables sur l'interaction atome metallique-surface d'alumine. L'interaction est d'autant plus forte que l'electronegativite du metal est eleve et le support d'alumine reduite