Elaboration et étude de l'épitaxie de beta-FeSi2 sur Si(111)

Growth and study of the beta-FeSi2 heteroepitaxy on silicon(111)

• Auteur / Autrice : Abdelaziz Younsi
• Direction : Jacques Derrien
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
• Ecole(s) doctorale(s) : Ecole doctorale de mécanique, physique & modélisation (Marseille)
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Résumé

Cette etude comporte la croissance et les caracteristiques structurales et physico-chimiques des interfaces fe/si(111) dans l'optique de realiser l'epitaxie du disiliciure semiconducteur beta-fesi#2 sur substrat de silicium(111). Dans un premier volet, nous avons etudie la croissance du fer sur le silicium(111) a temperature ambiante et nous avons montre pour les faibles depots, qu'elle suit un mode de croissance de type couche par couche. L'interface est alors abrupte, un film de siliciure mince (inferieur a 4 a fe) dont la composition chimique est proche de celle de fesi#2 se forme alors au-dessus du substrat de silicium. Le recuit de ce systeme a revele suivant la temperature la formation de 2 phases distinctes: fesi et fesi#2. L'epitaxie de la phase beta-fesi#2 sur le si(111) apparait apres le recuit a 500-550c. Le depot du fer sur un substrat de si(111) porte a 500-540c conduit egalement a l'epitaxie de beta-fesi#2-si(111). Le decapage ionique associe a l'analyse auger a revele une homogeneite dans la composition chimique du film de fesi#2 sur toute son epaisseur. Les avantages et les limites des methodes de croissance sont discutes dans ce memoire