Réalisation et test d'une expérience de photoémission inverse : application aux semiconducteurs lamellaire III-VI

• Auteur / Autrice : Rachid Hafsi
• Direction : Jean-Marie Debever
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs

Composés lamellaires

Photoémission

Résumé

Un dispositif de photoemission inverse est principalement constitue d'un canon a electrons monochromatique et d'un detecteur de photons a bande etroite. Le travail, qui a fait l'objet de cette these, a d'abord ete le montage, la mise au point et l'etalonnage du dispositif experimental pour l'etude de la photoemission inverse resolue angulairement (kripes) unique en france et dont seulement quelques exemplaires existent dans le monde compte tenu de la difficulte de mise en uvre de cette technique. La caracteristique essentielle d'une experience de photoemission inverse est le couple canon a electrons (une cathode a chauffage indirect, directif et travaillant a basse energie) detecteur de photons (a 9,5 ev de type geiger-muller) dont la resolution energetique testee sur une feuille de tantale, qui permet de determiner entre autres le e#f, est de 0,35 ev. L'etalonnage de l'experience a ete fait en comparant nos resultats sur le graphite aux resultats deja publies. L'accord est de taille et notre dispositif est operationnel. Nous avons etudie des composes lamellaires du groupe iii-vi, essentiellement le gase, mais aussi le inse et le gate. Pour le gate, les resultats obtenus (non publies) doivent etre consideres comme preliminaires. L'etude faite sur le gase et le inse est tres complete et a permis pour la premiere fois d'obtenir les bandes de conduction experimentale dans une gamme d'energie allant jusqu'a 10 ev au-dessus du niveau de fermi. Les bandes a basse energie permettent de confirmer l'existence d'un gap indirect pour le gase et direct pour l'inse