Etude de l'interface inversée GaAs/Ga1-xA1xAs par résonance cyclotron

Study of the inverted interface gaas/gaalas by cyclotron resonance

• Auteur / Autrice : Fouad Bouchelaghem
• Direction : Jean Léotin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique des solides
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Chimie des surfaces

Surfaces

Couches minces

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Gallium -- Composés

Aluminium -- Alliages

Résonance cyclotronique

Résumé

Les heterostructures inversees, dans lesquelles gaas est epitaxie sur gaalas, presentent des mobilites bien inferieures a celles des heterostructures normales (gaalas epitaxie sur gaas). La resonance cyclotron a ete utilisee comme methode d'investigation de l'interaction du gaz bidimensionnel avec les defauts de l'interface. Pour cette etude, deux heterostructures ont ete elaborees, une inversee l'autre normale, ainsi que deux puits quantiques asymetriquement dopes (l'un inverse l'autre normal). Un dispositif a effet de champ, muni d'une grille semi-transparente au rayonnement infrarouge, realise a partir de ces echantillons, a permis de faire varier la concentration electronique au voisinage de l'interface. Les resultats experimentaux ont mis en evidence un clivage anormal de la raie de resonance cyclotron pour une certaine plage de tension de grille, dans le puits inverse. Les interpretations, rapportees par la litterature, pour expliquer les anomalies de clivage dans les gaz 2d, ne peuvent expliquer notre cas. Un modele a ete alors elabore, dans lequel le clivage resulterait d'un effet de couplage entre sous-bandes electriques a travers les fluctuations du potentiel d'interface induites par la distribution inhomogene des charges a l'interface