Etude expérimentale de l'ionisation par impact dans Ga1-x Alx Sb élaboré par épitaxie en phase liquide (0 < x < 0,08)

Experimental study of impact ionisation in ga1-xalxsb grown by liquid phase 0<x<0,08

• Auteur / Autrice : Meriem Karim
• Direction : Henri Luquet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Bruit électronique

Optoélectronique

Diodes à avalanche

Capteurs optiques

Liquides

Épitaxie

Ionisation

Composés ternaires

Aluminium

Gallium

Dispositifs à couches minces

Semiconducteurs dopés

Résumé

L'etude experimentale de la multiplication du photocourant dans des photodiodes a ga1-xalxsb a ete realisee pour 0<x<0,08 et pour x=0 entre 77 et 300 k. Les coefficients d'ionisation kp et kn des trous et electrons ont ete deduits a partir d'une methode originale prenant en compte les conditions experimentales imposees par le dispositif test d'etude. Apres une estimation de la precision de ces resultats; les variations de kp et kn en fonction de la composition sont discutees. L'observation d'une valeur de kp/kn superieure a 10 pour x=0,04 confirmee par les mesures de bruit n'apparait pas associee a un effet resonnant propose par d'autres chercheurs mais montre tout l'interet de ces materiaux pour la photodetection avalanche