Réalisation et optimisation de couches de Ga1-xAlxSb (0<-x<-0. 08) et de l'implantation beryllium pour l'étude de l'ionisation par impact. (Application au photodétecteur à avalanche)

Realization and optimization of ga#1##xal#xsb (0x0,08) epilayers and of of beryllium implantation in order to study impact ionization (application to avalanche photodetector)

• Auteur / Autrice : Abdallah Sabir
• Direction : Michèle Pérotin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Mesures électriques

Photoluminescence

Matériaux

Optoélectronique

Structure électronique

Diodes à avalanche

Capteurs optiques

Ionisation

Liquides

Épitaxie

Béryllium

Aluminium

Semiconducteurs dopés

Dispositifs à couches minces

Résumé

Le but du travail decrit dans ce memoire est la realisation de dispositifs permettant l'etude de la multiplication dans le proche infrarouge. Dans cette optique nous avons realise par epitaxie en phase liquide et caracterise (optiquement et electriquement): des couches de ga#1##xal#xsb de composition variable (0x0,08); des implications sur ces couches conduisant a des jonctions de qualite permettant l'observation de l'ionisation par impact