Fabrication et caractérisation de photodétecteurs à base de GaInSb et de GaInAsSb élaborés par E. P. V. O. M. , fonctionnant à des longueurs d'onde supérieures à 2 micromètres

Fabrication and characterisation of gainsb and gainassb based photodetectors elaborated by movpe, for wavelengths greater than 2 micrometers

• Auteur / Autrice : Alain Giani
• Direction : Georges Bougnot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Mesures électriques

Hall, Effet

Photoluminescence

Spectroscopie

Épitaxie

Tellure

Matériaux

Optoélectronique

Capteurs optiques

Structure cristalline (solides)

Propriétés électriques

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Semiconducteurs dopés

Dispositifs à couches minces

Résumé

Ce memoire a pour but la fabrication et l'etude de photodetecteurs a base de gain(as)sb repondant aux longueurs d'onde superieures a 2 micrometres. Apres une etude theorique sur la reponse spectrale des photodiodes, nous presentons la croissance par epvom de couches de gainsb p naturel, gainsb n dope te et gainassb p naturel: maitrise des compositions dans la phase solide, amelioration de la qualite cristalline des couches par l'utilisation de couches d'adaptation ou de substrats desorientes, influence de la pression partielle de dmte et du rapport rv/iii, caracterisations electriques par effet hall sur des substrats de gaas et de gasb, caracterisations optiques (photoluminescence, absorption optique). Ensuite, nous presentons la fabrication d'homojonctions et d'heterojonctions a partir de ces materiaux, ainsi que leur etude par i(v) et c(v). Les mesures de reponse spectrale de ces dispositifs terminent ce travail