Étude et réalisation d'une barrette de photoconducteurs en arséniure de Gallium : application à la détection Raman

High gain photoconductor array for Raman multichannel spectroscopy detectors

• Auteur / Autrice : Faouzi Oustati
• Direction : Monique Constant
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Arséniure de gallium

Spectroscopie Raman

Photodiodes

Photoconductivité

Résumé

Des études menées en collaboration au laboratoire de Spectrochimie IR et Raman et au département Hyperfréquences et semiconducteurs de l'IEMN ont montré que certains photoconducteurs réalisés en arséniure de Gallium dopé N peuvent remplacer avantageusement les photomultiplicateurs. Le travail présenté dans cette thèse se rapporte à l'étude des performances d'une barrette monodimensionnelle composée de 16 photoconducteurs photosensibles et de 16 photoconducteurs aveugles et de ses possibilités en spectrométrie optique multicanale lorsqu'elle est associée à un système électronique de balayage piloté par ordinateur. Après avoir rappelé les paramètres caractéristiques des photoconducteurs, nous décrivons la structure de la barrette et les différentes étapes du processus technologique. Nous donnons ensuite les performances intrinsèques des éléments de la barrette en fonction des conditions expérimentales d'éclairement et de température. Ces résultats permettent d'évaluer la détectivité spécifique de la barrette qui est voisine de 1013 cm√HzW−1 à 300 K. Afin de tester la capacité de la barrette à détecter les faibles flux lumineux, nous présentons enfin quelques essais effectués en sortie du spectromètre Raman monocanal et multicanal. Pour mieux illustrer l'intérêt de ce travail, les spectres obtenus sont comparés à ceux enregistrés avec des détecteurs commerciaux