Différents aspects de l'étude du dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite du disiliciure de tungstène
Auteur / Autrice : | Nathalie Thomas |
Direction : | Claude Bernard |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et Génie des matériaux |
Date : | Soutenance en 1992 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les disiliciures de metaux refractaires sont d'excellents materiaux susceptibles d'intervenir au niveau des connexions et des contacts des circuits silicium a haut degre d'integration. Au cours des travaux deja realises au laboratoire, une methodologie a ete mise au point afin d'elaborer ces materiaux en couches minces par la technique de depot chimique en phase vapeur. Cette etude a consiste essentiellement a ameliorer ce procede tant au point de vue theorique que pratique et a tester ces modifications dans le cadre de l'etude du depot de wsi2 a pression reduite. Ces ameliorations ont concerne d'une part l'analyse de la phase gazeuse resultant de l'elaboration du vecteur gazeux du metal. Ainsi une etude par spectrometrie de masse a permis de montrer que l'elaboration du precurseur metallique par chloruration in situ etait compatible avec les techniques de fabrication des circuits integres. D'autre part ces ameliorations portent aussi sur la simulation thermodynamique. Ainsi la prise en compte de la precision des donnees thermodynamiques augmente la coherence entre les resultats de la simulation prealable des depots et les resultats experimentaux. Lors de la realisation des depots a pression reduite, des couches de disiliciures de tungstene ont ete obtenues de maniere reproductible