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Thèse soutenue

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Auteur / Autrice : Karim Lefki
Direction : Pierre Muret
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Microélectronique
Date : Soutenance en 1992
Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015)

Résumé

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Le disiliciure de fer dans sa phase beta est un materiau semiconducteur. Nous avons etudie quelques proprietes optiques, electriques et photoelectriques de divers echantillons, generalement en couches minces. Les mesures electriques effectues sur des echantillons deposes sur silicium montrent que ce siliciure est un semiconducteur de type p. Elles mettent egalement en evidence la presence de defauts electriquement actifs dans la structure metal/siliciure/silicium. La bande interdite de ce materiau est obtenue par mesure de reflexion-transmission d'un bicouche siliciure-silicium. Cette bande interdite est directe, de valeur 0. 89 ev. Les spectroscopies infrarouges et raman ont donne acces aux vibrations du reseau. Ces resultats ont pu etre correles a la structure cristallographique de ce materiau. En comparant plusieurs echantillons prepares differemment, un decalage des raies infrarouges et raman a egalement ete mis en evidence. Le durcissement des modes de vibration va de pair avec l'augmentation des parametres de reseau, ce qui est interprete par la presence de defauts de stchiometrie differents suivant les echantillons et correle avec la nature du substrats. Des mesures de photoemission interne ont montre l'existence de transitions d'energies inferieures a la bande interdite. La variation du seuil de photoemission en fonction de la temperature nous permet de suivre l'evolution de la bande interdite du semiconducteur en accord avec d'autres auteurs. La synthese de l'ensemble de ces resultats experimentaux permet de proposer un diagramme d'energie de l'heterojonction siliciure-silicium