Étude des propriétés électroniques de semiconducteurs à base de In₂O₃
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Auteur / Autrice : | Shi-Jie Wen |
Direction : | Guy Campet |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux |
Date : | Soutenance en 1992 |
Etablissement(s) : | Bordeaux 1 |
Jury : | Président / Présidente : Paul Hagenmuller |
Examinateurs / Examinatrices : Guy Campet, Paul Hagenmuller, Bernard Buffat, Yves Marfaing, Jean Claverie, Jean Étourneau, Josik Portier | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Bernard Buffat, Yves Marfaing |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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Dans le but d'améliorer les performances d'électrodes à base d'IO ou d'ITO, une étude comparative des propriétés électroniques de monocristaux, de céramiques et de couches minces a été réalisée. Nous avons pu ainsi proposer de nouveaux éléments dopants et, corrélativement, de nouvelles électrodes transparentes et conductrices (IO:Ge, ITO:Ge,. . . ).