Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs gaas/ga#xin#1##xp realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

Study of the gaas/ga#xin#1##xp growth realised by the metal organic molecular beam epitaxy method

• Auteur / Autrice : PHILIPPE BOVE
• Direction : Yves Guldner
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Ce travail presente l'etude de la croissance epitaxiale des materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p par ejmom. Les cinetiques de croissance des composants binaires inp et gap sont decrites a partir d'etudes utilisant la technique d'oscillation de rheed. Il est alors permis de comprendre le comportement de la croissance de l'alliage ternaire ga#xin#1##xp. L'optimisation des conditions de croissance des materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p sont determinees a partir d'analyses cristallographiques, electriques et optiques. Des heterostructures de simple et multipuits quantiques sont alors realisees et caracterisees. Ce travail presente aussi une etude de dopage, type-n, des deux materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p a partir d'une source gazeuse de sulfure d'hydrogene. Le mecanisme d'incorporation du soufre dans les deux materiaux y est detaille