Thèse soutenue

Etudes des degradations du transistor pmos soumis aux injections de porteurs chauds
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Auteur / Autrice : Alain Bravaix
Direction : Julien Bok
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1991
Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

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Ce travail est consacre a l'etude des degradations du transistor pmos soumis aux injections de porteurs hautement energetiques generes par l'accroissement des champs electriques lies a la miniaturisation de sa geometrie. Ces mecanismes de degradations se manifestent par les derives temporelles des parametres electriques representatifs des performances du transistor, en raison de piegeage de charges dans l'oxyde et de la generation d'etats electroniques a l'interface oxyde-silicium. Cette etude presente tout d'abord un bref rappel des parametres de fonctionnement du transistor ainsi qu'un modele simple de la generation des porteurs chauds par le processus d'ionisation par impact. Nous presentons l'analyse des degradations du transistor pmos a l'aide de methodes complementaires de caracterisations electriques en courant-tension puis par une technique de pompage de charges qui nous permettront de dissocier les types de defauts induits. A l'aide de ces deux premieres techniques nous developpons des methodes de prediction de duree de vie qui tiennent compte des aspects specifiques du vieillissement du transistor pmos. Enfin, ces techniques de mesures couplees a une technique dite de la grille flottante et a des simulations bi-dimensionnelles nous permettront d'elaborer une etude approfondie des defauts induits par des charges fixes d'oxyde jusque dans la region de recouvrement grille-drain de la structure du transistor pmos