Oligomeres semi-conducteurs : proprietes electriques et application aux transistors a effet de champ

Semiconducting oligomers: electric properties and application to field effect transistors

• Auteur / Autrice : XUE-ZHOU PEN
• Direction : Yves Jeannin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

Le memoire rappelle ce qu'il faut savoir sur les materiaux moleculaires et leurs proprietes de transport de charge electronique. Les techniques experimentales utilisees pour realiser les diodes et les transistors a base de materiaux organiques sont egalement exposees. Ensuite, les caracteristiques courant-tension de structures or/sexithienyle/or ont ete mesurees et sont en bon accord avec les predictions du modele prealablement etabli. La mobilite des porteurs de charge a ete deduite et se revele thermiquement activee: ce fait est attribue a la presence d'un piege peu profond (0,2 ev au-dessus du bord de bande de valence). Le role de l'oxygene comme centre compensateur de pieges permet d'expliquer les caracteristiques courant-tension sous atmosphere reduite. Les transistors a effet de champ en couche mince utilisant des isolants inorganiques et organiques (misfet-tfts) a base d'oligomeres semi-conducteurs ont ete realises et etudies. Les resultats montrent qu'il est possible d'ameliorer les performances des fets par le changement du semi-conducteur et de l'isolant de grille utilises. Enfin, le probleme de l'optimisation des tfts est aborde par une analyse critique des proprietes des semi-conducteurs moleculaires et celles des isolants