Etude de la croissance du systeme gaalinp/gainp/gaas par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques pour la realisation de lasers visibles

Study of gainp, gaalinp layers grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy (ap-movpe) and application to visible region lasers

• Auteur / Autrice : Marie Mpaskoutas
• Direction : Robert Cadoret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt en phase vapeur par organométalliques

Résumé

Nous presentons l'epitaxie des materiaux gainp et gaalinp en accord de maille sur substrat de gaas par la methode des organo-metalliques en phase vapeur a pression atmospherique. (epvom). L'utilisation d'une nouvelle geometrie de reacteur ainsi que l'optimisation des conditions de croissance ont permis d'obtenir des materiaux possedant d'excellentes proprietes cristallographiques et optiques. Ces performances ont ete realisees sur des substrats de deux pouces de diametre. L'homogeneite de la croissance en epaisseur et en composition a ete obtenue aussi bien pour le ternaire que pour le quaternaire. Des doubles heterostructures laser emettant a environ 0. 6 microns ont ete realisees