Gravure et depots electrochimiques sur le silicium : application a la revelation de jonctions

Electrochemical etching and plating on silicon: application to junction delineation

• Auteur / Autrice : CORINNE DENNIG
• Direction : Michel Froment
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Chimie
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

Ce travail s'interesse aux mecanismes de gravure et de depot electrochimiques en circuit ouvert dans le but de trouver les conditions optimales pour la revelation de jonctions p/n sur le silicium. L'etude de la gravure du silicium dans la solution de m. Wright jenkins modifiee est traitee dans la premiere partie de la these. La gravure en circuit ouvert est independante du dopage et du type de conductivite jusqu'a 10#1#8 at/cm#3. Ceci s'explique par un mecanisme de type reactionnel limite par la dissolution de l'oxyde forme. Le comportement cinetique de si10#1#5 s'explique par l'existence d'un courant thermo-ionique qui diminue la corrosion sur n-si10#1#5 et l'augmente par p-si10#1#5. L'etat de surface e#s (e#c-e#s=0,52 ev) est lie a la presence de chrome en surface; celui-ci permet l'injection d'un electron dans la bande de conduction de n-si10#1#5 en depletion. Quelques exemples de revelation de jonctions sont donnes. La seconde partie de la these concerne la revelation de jonctions p/n par depot de platine ou de palladium a partir d'une solution contenant ou non de l'acide fluorhydrique. Dans l'obscurite le metal se depose en circuit ouvert sur les substrats de type n ou p et sur les jonctions p/n en presence d'acide fluorhydrique. Sous radiation ultra-violettes, les electrons peuvent surmonter la barriere si/sio#2. Le metal est alors photodepose sur les substrats de type p ou sur les zones de type n des jonctions p/n car les photoelectrons de la jonction court-circuitee sont draines vers les zones de type n