Ellipsométrie spectroscopique à modulation de phase : construction de l'appareillage et application à la caractérisation des substrats Si et GaSb et des couches d'oxydes déposées sur ces substrats
Auteur / Autrice : | Keltoume Belalia |
Direction : | Claude Llinares |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Composants, signaux et systèmes. Composants électroniques et optiques |
Date : | Soutenance en 1991 |
Etablissement(s) : | Montpellier 2 |
Mots clés
Résumé
Notre travail a ete axe sur la realisation d'un ellipsometre a modulation de phase (240-600 nm) et son application a l'etude des couches minces et des interfaces. Le principe de cette technique optique, non destructive est l'etude de la modification de l'etat de polarisation de la lumiere apres sa reflection sur un echantillon. Nous avons rapporte les aspects theoriques de l'ellipsometrie spectroscopique: le principe de la methode, les modeles utilises (modele a substrat nu, modele a une couche, et le modele multi-couche) et la theorie du milieu effectif appliques dans le cas des melanges (la couche etant un melange de deux phases). Une description des composants optiques du dispositif experimental et du systeme d'acquisition a ete donnee ainsi que les differentes etapes suivies pour la calibration de l'appareil. D'autre part, nous avons developpe les methodes de minimisation utilisee ou elaboree pour la determination des epaisseurs, des indices et des fractions volumiques. L'application de ces methodes et les resultats obtenus sur les substrats de silicium (si) et d'antimoniure de gallium (gasb) ainsi que les couches d'oxyde natif du si et du gasb, de silice thermique sur si, d'oxyde anodique de gasb et de silice evaporee sur gasb sont egalement illustres