Etude des surfaces physiques des semiconducteurs III-V pour l'élaboration de circuits IC ou OEIC

Study of iii-v compound semiconductors surfaces for integrated i. C. And o. E. I. C

• Auteur / Autrice : Nkeuna Tchandjou
• Direction : Jean-Pierre Fillard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Réactivité (chimie)

Solvants

Analyse électrochimique

Tomographie

Industrie

Semiconducteurs

Semiconducteurs -- Défauts

Cristaux -- Défauts

Croissance cristalline

Épitaxie

Surfaces (physique)

Phosphure d'indium

Composés semiconducteurs

Résumé

Dans cette etude, divers aspects du probleme de defauts dans les composes iii-v ont ete etudies. Les techniques mises en uvre ont ete essentiellement l'attaque chimique et la tomographie laser a balayage, associees dans le but d'identifier les defauts dans l'inp afin de developper des criteres de qualification de materiaux destines a l'electronique integree. La these est presentee en trois parties: la premiere rappelle differentes generalites sur la structure cristalline, les methodes de fabrication, et situe le niveau actuel des connaissances sur le probleme de defauts dans les iii-v. Les methodes d'analyses sont detaillees au cours de la deuxieme partie dans laquelle il est procede a l'etude d'une attaque chimique dont le comportement n'avait pas encore ete calibre sur ce semiconducteur, celle-ci se terminant par diverses correlations menees dans le but d'identifier la nature exacte des defauts rencontres. Enfin, la troisieme partie fait le tour des principales applications auxquelles les resultats obtenus peuvent mener. Celles-ci s'etendent dans differents domaines de la technologie des composants tels que le tirage des monocristaux, l'influence de la surface sur les epitaxies menant aux composants dont on pourra prevoir les performances