Contrôlabilité de circuits CMOS par faisceau d'électrons et compatibilité avec le test par contraste de potentiel

E-beam controllability of cmos circuits and consistency with e-beam testing

• Auteur / Autrice : Pascal Nouet
• Direction : Paul Girard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Informatique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Potentiel, Théorie du

Microscopes électroniques à balayage

Essais (technologie)

Circuits intégrés

MOS complémentaires

Résumé

Ce travail a pour cadre le test des circuits integres cmos et plus particulierement l'apport de la microscopie electronique a balayage en regime de contraste de potentiel. Dans le chapitre i, un rappel sur l'interaction electron-matiere permet de determiner les conditions de mise en uvre du test par faisceau d'electrons. Apres avois mis en evidence les problemes de controlabilite des circuits vlsi et les solutions actuellement utilisees, il est montre, dans le chapitre ii, a partir de l'etude de structures de test, que le faisceau d'electrons peut etre utilise pour controler l'etat de conduction d'un transistor mos dans des conditions d'energie et de courant identiques a celles du test (ep=1 kev; ib=1 na). L'originalite de ce travail est d'avoir aborde ce probleme sous un angle totalement nouveau: les conditions d'activation et de test doivent etre compatibles a 100%. Dans le troisieme chapitre, nous proposons differents dispositifs logiques (statiques et dynamiques) sensibles au faisceau d'electrons dont la rapidite et la fiabilite sont etudiees. Il est montre que ces dispositifs autorisent le controle de niveaux logiques a partir d'irradiations de l'ordre de la microseconde. De plus, ces dispositifs sont, sous des conditions precisees dans cette these, insensibles au test par contraste de potentiel. En conclusion, quelques applications possibles de la controlabilite par faisceau d'electrons sont envisagees