Recherche Avancée

Thèse soutenue

Etude et faisabilité de couches de silice ultra-minces par procédé thermique rapide

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Auteur / Autrice : Abdellatif Yahia Messaoud
Direction : Augustin Martinez
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance en 1991
Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Résumé

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Dans ce memoire, les cinetiques d'oxydation par procede thermique rapide (rto) ont ete etudiees dans la gamme de temperatures 1060-1240c. Un effort particulier a ete consenti pour l'etude des parametres technologiques (nettoyage, cycle d'oxydation, mesure de la temperature. . . ) intervenant avant, pendant et apres l'oxydation pour d'une part bien nettoyer le substrat, optimiser et homogeneiser le chauffage et d'autre part mieux caracteriser les couches de silice ainsi realisees (ellipsometrie, profilometrie, met). La comparaison des resultats experimentaux obtenus dans cette gamme de temperatures avec le modele semi-empirique de c. J. Han et c. R. Helms a donne un bon accord. En outre, aucun phenomene specifique a la technique rto n'a ete constate. Des mesures electriques (capacite-tension, courant-tension, polarisation a courant constant) effectuees sur des diodes metal-isolant-semiconducteur (epaisseur d'isolant: 80-100 a), realisees par rto ont donne des champs de claquage de l'ordre de 15 mv/cm, des densites d'etat d'interface de 3. 10#1#1 ev##1. Cm##2 et des charges au claquage egal a 40 c. Cm##2 (j=1a/cm#2). Ces resultats figurent parmi les meilleurs de la litterature et confirment que les procedes thermiques rapides sont une voie tres prometteuse pour la technologie submicronique