Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance

Easy-to use model of bipolar transistor for C. A. D. In power electronics

• Auteur / Autrice : Khadidja Benchaib
• Direction : Jean Jalade
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique de puissance
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Toulouse, INPT

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors bipolaires

Circuits de commutation

Conception assistée par ordinateur

Résumé

Ce memoire traite de la modelisation des transistors bipolaires silicium en regime statique et en regime dynamique. Un nouveau modele unidimensionnel et a constante localisee de type compact est propose pour simuler le fonctionnement en commutation des transistors bipolaires de puissance. Ce modele est a la fois simple et facile a mettre en uvre par un concepteur de circuit. Son utilisation est tres avantageuse, car il ne fait intervenir que peu de parametres qui peuvent, avec des moyens informtiques legers, facilement etre identifies a partir des feuilles de specification des fabricants de composants. Le dimensionnement des elements du schema equivalent simplifie statique est realise a partir de l'expression du gain en courant collecteur. En fonctionnement dynamique, le modele est complete par une capacite base-emetteur equivalente, representant la charge stockee dans la base electrique. Le modele final, est alors bien adapte a l'etude et a la caracterisation du transistor bipolaire de puissance et permet d'en simuler le fonctionnement en commutation. La bonne concordance entre les comportements mesures et simules des echantillons testes, justifie l'approche choisie