ETUDES SPECTROSCOPIQUES DU CHROME ET DU FER DANS InP ET DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES Ga0,47 In0,53 As/InP ET InAs/InP

Spectroscopic studies of chromium and iron in inp and of ga#0#. #4#7in#0#. #5#3as/inp and inas/inp quantum well structures

• Auteur / Autrice : KAIS FERDJANI
• Direction : ANNE-MARIE VASSON
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Résumé

Differentes techniques spectroscopiques sont utilisees pour etudier des echantillons d'inp massif dopes au chrome ou au fer et des heterostructures de ga#xin#1#-#xas/inp realisees par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures. Pour les premiers, nous employons la spectroscopie d'absorption detectee thermiquement (dt), a basse temperature, en hyperfrequence (resonance paramagnetique electronique: rpe-dt) et en infrarouge proche (absorption optique: ao-dt). Un spectrometre de photoluminescence (pl) a ete construit specialement pour l'examen des structures epitaxiales. Diverses transitions de cr#2#+ dans inp, non encore observees jusqu'ici, sont mises en evidence par rpe-dt en 3 cm et 8 mm. Un excellent accord est obtenu avec un modele jahn-teller t e avec stabilisation par les contraintes. Les parametres des hamiltoniens de spin et effectif sont determines avec precision. Des transitions d'electrons de la bande de valence (ou d'un niveau proche) aux niveaux de fe#2#+ et des transitions intra-centres de fe#2#+ sont etudiees par ao-dt. La pl a permis la determination de l'epaisseur de puits quantiques de gainasinp accordes et conduit a une vitesse de croissance en bon accord avec celle estimee a partir des conditions d'epitaxie. Les spectres de pl des puits quantiques contraints inas/inp montrent deux signaux: l'un de nature excitonique (e#1hh#1) et l'autre du a la presence d'impuretes dans le puits. Des etudes en fonction de la puissance d'excitation et de la temperature confirment ces identifications. La faible largeur des pics excitoniques indique la bonne qualite des couches d'inas et la raideur de leurs interfaces. L'energie la plus haute obtenue pour ces signaux est 1,28 ev. Elle est attribuee a une epaisseur d'une ou deux monocouches. Une premiere experience d'ao-dt sur un puits quantique inas/inp montre que cette technique sera tres puissante pour l'etude des structures de basse dimensionnalite