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Thèse soutenue

Simulation de la croissance hétéroépitaxique multicouche : formation des amas et défauts étendus

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Auteur / Autrice : Mostéfa Laroussi
Direction : Daniel Estève
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro-électronique
Date : Soutenance en 1990
Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

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Ce memoire concerne la simulation de la croissance cristalline heteroepitaxique. L'etude a ete faite pour le cas du cdte-gaas avec un fort desaccord de maille (14. 6%). L'objectif etait de valider et d'exploiter les resultats de la croissance d'une monocouche, une attention particuliere a ete portee a la formation, la croissance et la coalescence des amas. Sur ce point, la temperature s'avere comme un parametre influent sur le deroulement du mecanisme de croissance. Elle favorise le passage diedrique-triedrique qui est l'amorce d'un changement d'orientation: (100)(111) des couches deposees. Le concept de substrat mou a ete introduit et a permis de mettre en evidence l'apparition des defauts ponctuels (lacunes ou atomes pontes), l'existence d'une epaisseur critique, et un mecanisme d'alignement des defauts que l'on considere comme precurseurs des defauts etendus d'interface (dislocation-coin). L'epaisseur critique a ete evaluee a 12 monocouches dans le cas du cdte-gaas grace a une methode theorique originale. En derniere partie, une extension du logiciel sparcc a ete faite pour la croissance de deux monocouches. Des mecanismes d'echange d'intercouches ont ete definis et une reflexion sur le modele de croissance par saut de marche a ete entame. Et en dernier ressort, un travail sur la representation graphique a ete engage pour une meilleure comprehension et une pedagogie de la croissance cristalline