Auteur / Autrice : | Abdellah El Jounaîdi |
Direction : | Yvan Ségui |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Composants électroniques |
Date : | Soutenance en 1990 |
Etablissement(s) : | Toulouse 3 |
Résumé
Le travail presente dans ce memoire concerne l'etude d'un plasma de depot et l'analyse des films organosilicies deposes dans une decharge basse frequence (2,5 khz). Une partie de l'etude de la phase gazeuse du plasma a porte sur la determination de la temperature electronique (te) et la densite electronique (n#e) et leur evolution en fonction des conditions de decharge (courant de decharge, pression). Il a demontre par la methode de la sonde de langmuir que n#e varie entre 10#7 et 10#8 cm##3, tandis que te2,0 ev est peu sensible aux conditions de decharge. Le diagnostic de la phase gazeuse par spectroscopie d'emission optique a mis en evidence la disymetrie de la decharge. L'emploi d'une fibre optique a permis de recueillir l'intensite d'emission des especes excitees a differentes hauteurs de l'espace interelectrode. Le maximum d'emission situe dans la region cathodique de la plupart des especes excitees montre une forte dissociation de la molecule du monomere dans cette region, ce qui conduit a un taux de croissance du film depose quatre fois plus eleve sur la cathode que sur l'anode. L'analyse des films deposes montre que les conditions de decharge n'influent pas beaucoup sur la structure des films. En revanche, des quantites de plus en plus importantes contribuent a l'elimination de la partie organique dans les films. Ces films minces sont utilises dans le domaine de la passivation des surfaces de semiconducteurs ou comme couches planarisantes