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des thèses françaises
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Étude et réalisation de dispositifs à base de diode Schottky sur inp
| Auteur / Autrice : | Athina Ginudi |
| Direction : | Slimane Loualiche |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1990 |
| Etablissement(s) : | Rennes 1 |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Ce travail porte sur la réalisation des diodes Schottky et des transistors à effet de champ sur inp avec deux méthodes : l'oxyde mince (40 a) a été réalisé sur inp en atmosphère normale sous éclairage UV à une température de 150°c. Sur un échantillon d'inp non dopé les diodes Schottky obtenues par ce procédé ont une hauteur de barriere de 0,8 ev. Dans cette jonction le mécanisme de transport du courant se fait par effet tunnel à travers l'oxyde mince. Cette structure a servi de grille dans la réalisation d'un transistor à effet de champ dont la transconductance atteint 140 ms/mm. Ce dispositif ne présente pas de phénomènes de dérive du courant de drain ; le gainp a été choisi pour augmenter la hauteur de barriere Schottky sur inp. Les résultats expérimentaux montrent que pour obtenir un bon dispositif Schottky il faut maintenir l'épaisseur de la barrière de gainp en dessous de l'épaisseur critique. Dans ce cas la hauteur de barrière sur ce matériau augmente avec la composition et passe de 0,43 ev sur inp a 0,8 ev avec une barrière de 11 a de gap. Des transistors hemt utilisant une grille de gainp et un puits de gainas atteignent une transconductance de 300 ms/mm pour une grille de 1,3 m.