Modélisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin à petits grains. Non dopé, en mode d'accumulation

Modelling of undoped small grain polysilicon thin film transistors in accumulation mode

• Auteur / Autrice : Abdelkader Amrouche
• Direction : Olivier Bonnaud
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Rennes 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Silicium cristallisé

Modèles mathématiques

Transistors

Résumé

Le propos de cette thèse est la modélisation bidimensionnelle du film silicium polycristallin non dopé et son application au transistor en couches minces. Les aspects concernant les propriétés physiques et électriques ainsi que les phénomènes de transport dans ce type de matériau ont été traités. Ce mémoire est divisé en trois parties : dans la première, une étude du film silicium polycristallin est présentée avec les différents paramètres physiques et électriques intervenant dans la caractérisation de ce matériau. Sont aussi présentés et discutés, les différents mécanismes de transport dans le silicium polycristallin et leurs applications dans quelques modèles de conduction très connus. La deuxième partie est consacrée à une recherche unidimensionnelle de la caractéristique de conductivité, qui nous a permis d'approcher l'identification du silicium polycristallin non dopé, en quantifiant le dopage résiduel et la densité de liaisons pendantes. Une correction de ces deux grandeurs a été réalisée par le développement d'un modele bidimensionnel, plus représentatif des couches étudiées. Dans un deuxième temps, nous présentons le modèle de conduction appliqué au transistor. Enfin nous développons la méthode de résolution utilisée dans le modèle numérique. Nous avons réserve la dernière partie de ce mémoire aux différents résultats issus des mésures expérimentales et de la simulation unidimensionnelle et bidimensionnelle. L'interprétation de ces résultats ainsi que l'accord mesures/simulation y sont présentés.