Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin

• Auteur / Autrice : MARIE-FRANCE BEAUFORT RICHARD
• Direction : Jean-Claude Desoyer
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Poitiers

Résumé

Ce travail est consacre a l'etude des defauts induits par implantation d'hydrogene sur de grandes profondeurs dans des echantillons de silicium monocristallin. Trois types d'echantillons ont ete analyses. Le premier et le second ayant respectivement comme plan de surface (111) et (001), presentent une couche implantee situee entre 20 m et 50 m de la surface. Le troisieme, de plan de surface (111) est implante depuis la surface jusqu'a 50 m. Ces differents echantillons ont ete etudies a la suite de recuits thermiques dans une gamme de temperature allant de l'ambiante jusqu'a 1100#oc. Par diffusion diffuse des rx, nous avons mis en evidence la presence d'amas de defauts ponctuels (boucles d'interstitiels 15 atomes) dont la taille reste constante jusqu'a 400#oc dans la region 0-20 m des echantillons 1 et 3, montrant ainsi que l'hydrogene ne perturbe pas la cinetique de migration des defauts ponctuels. L'etude en microscopie electronique de coupes perpendiculaires a la surface met en evidence deux nouveaux types de defauts (a et b) lies a l'hydrogene, repartis de maniere differente selon l'echantillon (1, 2 ou 3) pour des temperatures de recuit superieures ou egales a 300#oc. Une etude approfondie de la structure de ces defauts nous a conduit a modeliser leur formation et leur croissance de maniere a rendre compte de leur morphologie particuliere