Etude et realisation de photo-resistances gaas et de transistors mos silicium a electrodes rectilignes et interdigitees

Realization and characterization of gaas photoconductors and silicon mos transistors with straight and interdigitated electrodes

• Auteur / Autrice : Farida Hobar
• Direction : Suzanne Laval
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

L'objet de cette these est l'etude et la realisation de structures photodetectrices presentant un bon compromis sensibilite/rapidite, obtenu par le choix d'une geometrie adaptee. Deux types de photodetecteurs ont ete etudies: des photoresistances realisees sur arseniure de gallium, et des phototransistors sur silicium. La conception et les processus technologiques de fabrication sont decrits pour les photoresistances et pour les phototransistors mosfet. La sensibilite d'une photoresistance etant proportionnelle a la largeur des electrodes, des structures interdigitees ont ete realisees, bien adaptees a la detection de faisceaux laser. L'augmentation de capacite est suffisamment faible pour ne pas alterer le temps de reponse, comme le montrent le calcul et les mesures faites avec un laser picoseconde. De la meme facon, des phototransistors mosfet silicium ont ete realises avec des grilles interdigitees, et compares a des structures a grille rectiligne. Les parametres electriques ont ete determines en obscurite, montrant l'influence des resistances d'acces sur le fonctionnement des transistors. La sensibilite a l'eclairement est plus elevee que celle des photoresistances sur gaas, et est accrue par l'utilisation de grilles interdigitees. Le temps de reponse est subnanoseconde