Analyse de la structure electronique des heterojonctions a-si#1#-#xy#x : h/c-si (y=c ou ge) par l'etude des proprietes de transport

Analysis of the electronic structure of heterojunctions a-si#1#-#xy#x: h/c-si (y=c ou ge) by transport experiments

• Auteur / Autrice : Nicolas Lequeux
• Direction : Jean Dixmier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Ce travail presente une etude sur la structure electronique des heterojonctions silicium cristallin/alliages amorphe hydrogene silicium-carbone (ou silicium-germanium). La technique de photoemission interne qui a recours a des mesures de photo-reponses spectrales est employee a cet effet. Son principe est de mettre en evidence la presence d'un seuil d'energie pour le photocourant resultant, interprete comme etant l'energie minimale necessaire a un electron (trou) pour passer du haut de la bande de valence (bas de la bande de conduction) du cristal, au bas de la bande de conduction (haut de la bande de valence) du materiau amorphe, afin de calculer les discontinuites de bandes electroniques. Une etude de l'influence des principaux parametres experimentaux a permis d'analyser les problemes specifiques a cette technique. Il apparait en particulier, que le photocourant genere dans le cristal court-circuitant les discontinuites de bandes, ainsi que le photocourant provenant du film amorphe restreignent la possibilite de determiner les energies de seuil de photoemission. Une analyse des resultats revele neanmoins la presence d'une discontinuite de bande de conduction de l'ordre de 0. 31 ev entre le silicium amorphe hydrogene et le silicium cristallin. Il apparait egalement que l'elargissement de la bande interdite par effet d'alliage carbone-silicium amorphe s'effectue par deplacement vers les hautes energies du bord de la bande de conduction