Etude de la structure locale et des proprietes electroniques des composes semiconducteurs iii-v amorphes

Studies of the local atomic structure and of the electronic properties of amorphous iii-v compound semiconductors

• Auteur / Autrice : DOMINIQUE UDRON
• Direction : Marie-Luce Theye
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

L'arrangement local et le desordre chimique sont compares dans trois composes iii-v amorphes prepares par evaporation-flash: gaas, gap et inp. Dans le cas de inp et de gap, on analyse les distributions de premiers voisins des diverses especes chimiques entourant chaque type d'atomes a partir de l'exafs. On determine des proportions de liaisons fausses et de liaisons pendantes sur chaque site atomique. Plusieurs modeles sont envisages pour l'incorporation de p en exces dans des composes inp hors-stchiometrie. Dans le cas de gaas, l'exafs permet de determiner un environnement local moyen autour de ga et de as. Le probleme de l'ordre chimique dans gaas est aborde par une technique complementaire: la diffusion anomale des rayons x, qui permet aussi d'etudier l'ordre a moyenne distance dans l'amorphe. On a calcule les trois distributions radiales partielles. Les distributions differentielles sont simulees. On met en evidence des rearrangements de la topologie locale de l'amorphe. Un modele de reseau continu aleatoire ordonne chimiquement, consistent avec les resultats de diffusion anomale et d'exafs, a ete construit autour d'un site de defaut de coordination. Les caracteristiques des densites d'etats electroniques de conduction sont etudiees par spectroscopie d'absorption x pour les composes amorphes et les phases cristallines correspondantes. Les modifications observees entre les densites d'etats locales pour la phase cristalline et pour la phase amorphe sont rapprochees des variations de l'ordre local dans l'amorphe et de l'apparition d'etats localises dans le gap, detectes par rpe et photodeflexion thermique